بررسی خواص اپتیکی بلور فوتونی یک بعدی شامل گرافن تک لایه

thesis
abstract

گرافن ماده¬ی تک لایه¬ای تخت متشکل از اتم های کربن است که این اتم¬ها در یک شبکه دو بعدی لانه ¬زنبوری به هم متصل شده¬اند، گرافن به علت داشتن خواص فوق العاده در رسانندگی الکترونیکی و رسانندگی گرمایی، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل های بار رسانندگی اپتیکی و خواص مکانیکی به ماده ای منحصر به فرد تبدیل شده است. این ماده به خاطر خواص ویژه خود به عنوان کاندید بسیار مناسب برای جایگزینی سیلیکان در نسل بعدی قطعه های فوتونیکی و الکترونیکی در نظر گرفته شده است و از این رو توجه فراوانی را در تحقیقات بنیادی و کاربردی به خود جلب کرده است. رسانندگی الکترونیکی و گذردهی نوری بالای گرافن ، آن را به عنوان کاندیدی مناسب برای الکترودهای رسانای شفاف، ترانزیستورها، سلول های فوتوالکتریک، سنسورهای گازی و به دیود های آلی ساطع کننده نور( oled) و سایر قطعات الکترونیکی معرفی می¬کند. در این پایان نامه ابتدا خواص اپتیکی ( بازتاب، تراگسیل و جذب) گرافن تک لایه و دو لایه را با استفاده از روش ماتریس انتقال مطالعه می کنیم. سپس یک بلور فوتونی یک بعدی متشکل از دو لایه¬ی دی¬الکتریک را در نظر می گیریم که در میان فصل مشترک آن¬ها لایه های مشابه گرافنی قرار گرافته است. با به کار گیری روش ماتریس انتقال خواص اپتیکی و ساختار باند چنین بلوری را در حضور لایه¬های گرافنی(تک¬لایه و دولایه) تعیین می¬کنیم و وابستگی ویژگی¬های اپتیکی بلور فوتونی یک بعدی مذکور را به ضخامت لایه¬های دی الکتریک، زاویه¬ی فرود نور، فرکانس نور و پتانسیل شیمیایی را بررسی می¬کنیم. نتایج حاصل می¬تواند در طراحی ابزارآلات اپتیکی مورد استفاده قرار بگیرد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن

امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...

full text

بررسی خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3

در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...

full text

خواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر

در این مقاله، ویژگی‌های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می‌دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش‌های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت‌های خاص و معینی می‌تواند دارای ض...

full text

خواص گاف باند و مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص پلاسمای مغناطیده

در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.

طراحی حسگر زیستی تشدید پلاسمون سطحی شامل بلور فوتونی یک بعدی برای تشخیص بیماری سرطان

در سال های اخیر پیشرفت و توسعه حسگرهای زیستی با حساسیت بالا از اهداف اصلی دانشمندان برای تشخیص و جلوگیری از بیماری به شمار می آید. بر این اساس در این مقاله، حسگر زیستی تشدید پلاسمونی سطحی بر پایه ساختارهای لایه ای یک بعدی طراحی شده است. با توجه به این موضوع که کیفیت حسگرهای زیستی تشدید پلاسمون سطحی شدیداً به نیم پهنا و مقدار بازتابندگی در منحنی تشدید پلاسمونی وابسته است، با استفاده از روش ماتریس...

full text

خواص مغناطو - اپتیکی تک بلور gap

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023